中国22纳米的光刻分辨率

来源:纳米氧化铝_广西新兴纳米科技研究公司 发布时间:2019-05-15 点击次数:

     新华社成都11月29日电(记者董瑞峰、吴晓英)国家重大研发项目超分辨率光刻机的研制,11月29日通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制。光刻分辨率达到22纳米。结合双曝光技术,也可用于未来10纳米芯片的制造。
    
     中国科学院理化研究所徐祖彦院士等验收组专家一致表示,光刻机在365纳米光源波长的单次曝光下,具有最高的22纳米的线宽分辨率,该项目突破了以往的分辨率。F从原理上限制了刻划,为高分辨率大面积纳米光刻设备的发展开辟了一条新的道路,绕过了国外相关的知识产权壁垒。
    
     光刻机是制造芯片的核心设备。我国在这一领域已经落后了很长一段时间,它采用照相印刷技术,通过曝光将母版上的精细图形转移到硅片上。一般来说,光刻分辨率越高,芯片集成度越高,但由于光学衍射效应的影响,传统光刻的分辨率受到很大限制。
    
     为了获得更高的分辨率,传统的光刻机是通过缩短光波和增加成像系统的数值孔径来改进的。但技术难度大,设备成本高。
    
     项目副设计师胡松介绍了中科院光电研究所对表面等离子体超分辨光刻设备的验收,打破了传统的路径模式,形成了一条完全自主知识产权的全新纳米光刻技术路线。是的,它为超材料/超表面、第三代光学器件、通用芯片和其他变革性领域的跨越式发展提供了制造商。
    
     据了解,该超分辨率光刻设备所生产的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究所、电子科技大学、四川大学华西医院等多所科研院所应用。四川大学,中国科学院微系统研究所。
    
    


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